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Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integ...

Schnack, Jasper
Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte
Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkrei...

CHF 114.00